Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 1Ohm; 760mA; 540mW; -55°C ~ 150°C
Parametry:
Producent: Infineon
Rezystancja otwartego kanału: | 1Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 760mA |
Maksymalna tracona moc: | 540mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |