Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -30V; -3A; 1,25W; SOT23 Parametry:
|
Producent
|
INFINEON TECHNOLOGIES | |
|
Typ tranzystora
|
P-MOSFET | |
|
Technologia
|
HEXFET® | |
|
Polaryzacja
|
unipolarny | |
|
Napięcie dren-źródło
|
-30V | |
|
Prąd drenu
|
-3A | |
|
Moc rozpraszana
|
1,25W | |
|
Obudowa
|
SOT23 | |
|
Montaż
|
SMD | |
|
Rodzaj opakowania
|
rolka | |
|
Rodzaj kanału
|
wzbogacany | |
|
Właściwości elementów półprzewodnikowych
|
logic level |
