Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -30V; -3A; 1,25W; SOT23
Parametry:
|
Producent |
INFINEON TECHNOLOGIES | |
|
Typ tranzystora |
P-MOSFET | |
|
Technologia |
HEXFET® | |
|
Polaryzacja |
unipolarny | |
|
Napięcie dren-źródło |
-30V | |
|
Prąd drenu |
-3A | |
|
Moc rozpraszana |
1,25W | |
|
Obudowa |
SOT23 | |
|
Montaż |
SMD | |
|
Rodzaj opakowania |
rolka | |
|
Rodzaj kanału |
wzbogacany | |
|
Właściwości elementów półprzewodnikowych |
logic level |
